? ? ? 生長LED有機層的晶圓制程方法有氣相晶圓(VPE)堅定不移、液相晶圓(LPE)、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)結論、分子束晶圓
(MBE)和諧共生。它們生長LED有機層的材料分別有氣相晶圓CaAsp、GaP適應性強,液相晶圓GaP技術交流,GaAlAs,金屬有機物化學氣相淀積
InGaAlP拓展、InCaN創造更多,分子束晶圓ZnSe等。
液相晶圓已能一爐生長60-100片,生產(chǎn)效率較高損耗,通過稼的重復(fù)使用成本也已降得很低講故事,可用以制造高亮度GaP綠色發(fā)光器
件和一般亮度的GaP紅色發(fā)光器件非常完善,也可用它制造超高亮度GaAlAs發(fā)光器件性能穩定。
金屬有機化學氣相淀積法(MOCVD)是目前生產(chǎn)超高亮度InCaN藍、綠色LED和InCaAIP紅作用、黃色LED的主要方法情況正常,它既能精
確控制生長厚度,又能精密控制晶圓層的組成技術特點√岣咤憻??捎么朔ㄉL超高亮度LED結(jié)構(gòu)中所需要的量子阱階層和DBR反射結(jié)構(gòu)種的20個
左右的周期層,也適用于大量生產(chǎn)凝聚力量,是目前生產(chǎn)超高亮度LED的主要方法有所提升。
分子束晶圓目前主要用于研制ZnSe白色發(fā)光二極管,效果很好新的力量,能生長小于10A的晶圓層先進水平,確定是生長數(shù)度較慢,每小時約
1mm更高要求,裝片容量也頗少越來越重要的位置,生產(chǎn)效率較低。
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