一、MB 芯片
定義:Metal BONding (金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC 的專利產(chǎn)品調解製度。
特點(diǎn):
1:采用高散熱系數(shù)的材料---Si 作為襯底、散熱容易功能。
2:通過(guò)金屬層來(lái)接合(wafer bonding)磊晶層和襯底應用的因素之一,同時(shí)反射光子解決,避免襯底的吸收。
3: 導(dǎo)電的Si 襯底取代GaAs 襯底敢於監督,具備良好的熱傳導(dǎo)能力(導(dǎo)熱系數(shù)相差3~4 倍)幅度,更適應(yīng)于高驅(qū)動(dòng)電流領(lǐng)域。
4: 底部金屬反射層重要的作用、有利于光度的提升及散熱
5: 尺寸可加大適應能力、應(yīng)用于High power 領(lǐng)域、eg : 42mil MB
二各方面、GB芯片
定義:Glue Bonding (粘著結(jié)合)芯片;該芯片屬于UEC 的專利產(chǎn)品
特點(diǎn):
1:透明的藍(lán)寶石襯底取代吸光的GaAs襯底防控、其出光功率是傳統(tǒng)AS (Absorbable STructure)芯片的2倍以上、藍(lán)
寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底適應性。
2:芯片四面發(fā)光堅實基礎、具有出色的Pattern
3:亮度方面、其整體亮度已超過(guò)TS芯片的水準(zhǔn)(8.6mil)
4:雙電極結(jié)構(gòu)重要作用、其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片
三等地、TS芯片
定義:transparent structure(透明襯底)芯片、該芯片屬于HP 的專利產(chǎn)品尤為突出。
特點(diǎn):
1:芯片工藝制作復(fù)雜規定、遠(yuǎn)高于AS LED
2:信賴性卓越
3:透明的GaP襯底、不吸收光空間載體、亮度高
4:應(yīng)用廣泛
四高質量、AS芯片
定義:Absorbable structure (吸收襯底)芯片;
經(jīng)過(guò)近四十年的發(fā)展努力、臺(tái)灣LED光電業(yè)界對(duì)于該類型芯片的研發(fā)﹑生產(chǎn)﹑銷售處于成熟的階段重要組成部分、各大公司在
此方面的研發(fā)水平基本處于同一水準(zhǔn)流程、差距不大。
大陸芯片制造業(yè)起步較晚勃勃生機、其亮度及可靠度與臺(tái)灣業(yè)界還有一定的差距助力各業、在這里我們所談的AS芯片、特指UEC的
AS芯片提供有力支撐、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特點(diǎn):
1:四元芯片質生產力、采用 MOVPE工藝制備、亮度相對(duì)于常規(guī)芯片要亮
2:信賴性優(yōu)良
3:應(yīng)用廣泛
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??LED照明燈具