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剖析LED芯片在運用常遇到的問題

信息來源: 瀏覽次數(shù): 發(fā)布日期:
??? ? 1.正向電壓下降 暗光

  A:一種是電極與發(fā)光資料為歐姆觸摸更適合,但觸摸電阻大,首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成的等地。

  B:一種是電極與資料為非歐姆觸摸最為顯著,首要發(fā)生在芯片電極制備進程中蒸騰第一層電極時的擠壓印或夾印,散布方位。

  別的封裝進程中也能夠形成正向壓下降環境,首要緣由有銀膠固化不充分空間載體,支架或芯片電極沾污等形成觸摸電阻大或觸摸電阻不穩(wěn)定。

  正向壓下降的芯片在固定電壓測驗時相對簡便,經(jīng)過芯片的電流小經驗分享,然后體現(xiàn)暗點,還有一種暗光表象是芯片自身發(fā)光功率低趨勢,正向壓降正常。

  2.難壓焊:(首要有打不粘上高質量,電極掉落一站式服務,打穿電極)

  A:打不粘:首要因為電極外表氧化或有膠

  B:有與發(fā)光資料觸摸不牢和加厚焊線層不牢,其間以加厚層掉落為主深入交流。

  C:打穿電極:通常與芯片資料有關(guān)引領作用,資料脆且強度不高的資料易打穿電極,通常GAALAS資料(如高紅臺上與臺下,紅外芯片)較GAP資料易打穿電極用的舒心,

  D:壓焊調(diào)試應(yīng)從焊接溫度,超聲波功率集聚效應,超聲時刻集成,壓力,金球巨細確定性,支架定位等進行調(diào)整更加廣闊。

  3.發(fā)光色彩區(qū)別:

  A:同一張芯片發(fā)光色彩有顯著區(qū)別首要是因為外延片資料疑問,ALGAINP四元素資料選用量子布局很薄講故事,成長是很難確保各區(qū)域組分共同非常完善。(組分決議禁帶寬度,禁帶寬度決議波長)全面革新。

  B:GAP黃綠芯片作用,發(fā)光波長不會有很大誤差,可是因為人眼對這個波段色彩靈敏行業分類,很簡單查出偏黃技術特點,偏綠。因為波長是外延片資料決議的數據顯示,區(qū)域越小高質量,呈現(xiàn)色彩誤差概念越小,故在M/T作業(yè)中有附近選取法記得牢。

  C:GAP赤色芯片有的發(fā)光色彩是偏橙黃色註入了新的力量,這是因為其發(fā)光機理為直接躍進。受雜質(zhì)濃度影響更多可能性,電流密度加大時去創新,易發(fā)生雜質(zhì)能級偏移和發(fā)光飽滿足夠的實力,發(fā)光是開端變?yōu)槌赛S色。

  4.閘流體效應(yīng):

  A:是發(fā)光二極管在正常電壓下無法導(dǎo)通結構,當電壓加高到必定程度更適合,電流發(fā)生驟變。

  B:發(fā)生閘流體表象緣由是發(fā)光資料外延片成長時呈現(xiàn)了反向夾層溝通協調,有此表象的LED在IF=20MA時測驗的正向壓降有躲藏性要素配置改革,在運用進程是出于南北極電壓不行大,體現(xiàn)為不亮保障性,可用測驗信息儀器從晶體管圖示儀測驗曲線帶動產業發展,也能夠經(jīng)過小電流IF=10UA下的正向壓降來發(fā)現(xiàn),小電流下的正向壓降顯著偏大十分落實,則能夠是該疑問所形成的倍增效應。

  5.反向漏電:

  A:緣由:外延資料,芯片制造製造業,器材封裝需求,測驗通常5V下反向漏電流為10UA,也能夠固定反向電流下測驗反向電壓組合運用。

  B:不一樣類型的LED反向特性相差大:普綠更讓我明白了,普黃芯片反向擊穿可到達一百多伏,而普芯片則在十幾二十伏之間積極。

  C:外延形成的反向漏電首要由PN結(jié)內(nèi)部布局缺點所形成的充分,芯片制造進程中旁邊面腐蝕不行或有銀膠絲沾附在測面,嚴禁用有機溶液分配銀膠集聚。以避免銀膠經(jīng)過毛細表象爬到結(jié)區(qū)
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